我們要想很好的使用搪瓷反應(yīng)釜，那么就要了解設(shè)備的電樞反應(yīng)，其中它的外接逆變橋經(jīng)一電阻Rs接地作電流采樣，采樣電壓輸入至電流檢測(cè)比較器。比較器反相輸入端設(shè)置有100mV基準(zhǔn)電壓，作為電流限流基準(zhǔn)。它的電樞反應(yīng)有：
搪瓷反應(yīng)釜空載時(shí)勵(lì)磁的磁勢(shì)單獨(dú)產(chǎn)生的氣隙磁密分布為一平頂波，負(fù)載時(shí)，電樞繞組流過(guò)電樞電流Ia，產(chǎn)生電樞磁勢(shì)Fa，電樞磁勢(shì)單獨(dú)作用時(shí)在電機(jī)氣隙中產(chǎn)生的電樞磁場(chǎng)，再將電樞磁場(chǎng)與空載氣隙磁場(chǎng)合起來(lái)就可得到負(fù)載磁場(chǎng)，與空載氣隙磁場(chǎng)相比較，可以了解電樞反應(yīng)的影響。
搪瓷反應(yīng)釜
與勵(lì)磁磁勢(shì)Ff共同建立負(fù)載時(shí)的氣隙合成磁密，必然會(huì)使原來(lái)的氣隙磁密的分布發(fā)生變化。通常把電樞磁勢(shì)對(duì)氣隙磁密分布的影響稱為電樞反應(yīng)。
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